利用 SMFA 系列非对称 TVS 二极管实现高效 SiC MOSFET 栅极保护

引言碳化硅（ SiC）MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展，开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高，设计人员应更加关注MOSFET的栅极驱动电路，确保对MOSFET的安全控制，防···

英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术，实现更加智能、快速的固态配电

近日，为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌科技股份公司正在扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了新型CoolSiC™ JFET产品系列。新系列产品拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，使其成为先进固态保护与···

GaN FET在人形机器人中的应用

引言人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。人形机器人···

电源管理小技巧：功率 MOSFET 特性

以Vishay SiE848DF的数据手册图作为参考示例，这是一款采用 PolarPAK® 封装的 N 沟道 30 V 沟槽功率 MOSFET。MOSFET 的封装限制为 60A 和 25°C。阻断电压是多少？阻断电压 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大电压。···

半导体「权力游戏」：GAAFET

北京大学团队研发出全球首款二维 GAAFET 晶体管，以铋材料突破接触电阻量子极限，开启后摩尔时代。这项成果在《自然》发表，实测性能超越国际巨头，二维堆叠技术使中国半导体站上 1 纳米制程竞争最前沿。近年来，随着···

英飞凌推出Power PROFET™+24/48V超低电阻智能功率开关系列，优化汽车配电系统

随着汽车结构向混动和电动车型过渡，传统电池系统越来越多地被48 V电源补充或取代。由于12 V和24 V电网系统已达到极限，这一转变有望成为未来电动汽车的新标准。48 V系统可提供先进功能，并通过降低电流和简化线束复···